Benannt nach dem deutschen Physiker und Elektrotechniker Walter Schottky (1886-1976).
Die Funktionsweise entspricht der einer gewöhnlichen pn-Halbleiterdiode (Silizium, Germanium).
Die Besonderheit der Schottky-Diode liegt im Aufbau. Die p-Schicht besteht aus Metall und die n-Schicht aus einem Halbleitermaterial (SiC, GaAs, SiGe).
Schaltsymbol Diode
Dadurch ergeben sich bestimmte Eigenschaften für die elektrotechnische Anwendung. Auf Grund des Metalls, des schmalen pn-Übergangs und der geringen Flussspannung (0,3V) schaltet die Schottky-Diode wesentlich schneller als herkömmliche Dioden. Sie kommt mit Schaltzeiten von 1-3ns der idealen Diode sehr nahe und eignet sich dadurch besonders gut für Hochfrequenzanwendungen. Weiterhin entfällt das Vorwärts- bzw Rückwärtserholverhalten auf Grund der geringen Kapazität der Metallelektrode.
Ein gravierender Nachteil ist, dass durch die schmale Sperrschicht höhere Leckströme entstehen, als bei Halbleiterdioden.